报告题目：新型半导体材料电子结构的计算模拟
报告人：康俊, 北京计算科学研究中心
报告时间：2024年9月20日（星期五） 上午 10:00
报告地点：教2-327
主办单位：bat365在线官网入口
邀请人：高丽
报告内容：以低维半导体和卤族钙钛矿为代表的新型半导体材料拥有许多与传统半导体截然不同的新特性，在下一代电子和光电器件中有广阔的应用前景。理解这些材料的电子性质和物性调控机制对于它们的实际应用具有重要意义。本次报告将介绍我们在新型半导体材料电子结构计算模拟中取得的一些进展，包括低维半导体材料及其异质结构的新奇特性、半导体功能材料中的缺陷掺杂机制及无序效应、以及第一性原理电子结构计算相关方法发展。
报告人简介：
康俊，北京计算科学研究中心特聘研究员。2009年本科毕业于厦门大学，2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所，2014-2019年先后在比利时安特卫普大学和美国劳伦斯伯克利国家实验室从事博士后研究。2019年入选国家级青年人才计划项目，并加入北京计算科学研究中心工作。主要从事新型半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究，包括能带调控机制、缺陷和杂质、输运特性和激发态等。目前在Nat. Mater.、Nat. Comput. Sci.、Nat. Commun.、Nano Lett.、Adv. Funct. Mater.、PRB/Appl/Mater等期刊发表论文100余篇，引用10000余次，2021-2024连续入选爱思唯尔中国高被引学者。曾获2017年度国家自然科学二等奖（第三完成人）。